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连续100 W量子阱二极管激光器封装工艺

高松信 雷军 郭林辉 吕文强 武德勇 唐淳

高松信, 雷军, 郭林辉, 等. 连续100 W量子阱二极管激光器封装工艺[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(11).
引用本文: 高松信, 雷军, 郭林辉, 等. 连续100 W量子阱二极管激光器封装工艺[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22(11).
gao songxin, lei jun, guo linhui, et al. Packaging technique of CW 100 W quantum-well diode laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: gao songxin, lei jun, guo linhui, et al. Packaging technique of CW 100 W quantum-well diode laser[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

连续100 W量子阱二极管激光器封装工艺

Packaging technique of CW 100 W quantum-well diode laser

  • 摘要: 为了提高激光器输出功率,对研制的铜微通道冷却器性能进行了测试,分析了其散热能力。设计了一种在软焊料中掺杂金属添加剂的工艺,有效抑制了晶须生长,并利用该冷却器和新工艺封装出了连续100 W大功率二极管激光器,并对封装的器件进行了性能测试。测试结果表明,封装的连续100 W器件在工作电流105 A时,输出功率超过了100 W,中心波长为808.5 nm,光谱半高宽为2.15 nm,器件的smile尺寸小于2 μm,部分值小于0.5 μm。
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-09-29

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