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低噪声放大器有意电磁干扰效应

汪海洋 周翼鸿 李家胤 许立刚 于秀云

汪海洋, 周翼鸿, 李家胤, 等. 低噪声放大器有意电磁干扰效应[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(11).
引用本文: 汪海洋, 周翼鸿, 李家胤, 等. 低噪声放大器有意电磁干扰效应[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(11).
wang haiyang, zhou yihong, li jiayin, et al. LNA malfunctions under intentional electromagnetic interference[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.
Citation: wang haiyang, zhou yihong, li jiayin, et al. LNA malfunctions under intentional electromagnetic interference[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23.

低噪声放大器有意电磁干扰效应

LNA malfunctions under intentional electromagnetic interference

  • 摘要: 低噪声放大器(LNA)是高功率微波“前门”效应典型薄弱器件之一。通过SPICE效应电路建模、模拟计算和注入实验,研究了LNA在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致,表明基于SPICE电路模型微波效应研究方法的有效性。研究表明,LNA增益压制脉宽随注入微波脉冲脉宽的增大具有饱和效应,该饱和值基本等于LNA直流偏置电路RC时间常数,并且出现饱和现象对应注入微波脉宽拐点约为150~250 ns。最后,给出了LNA微波脉冲效应定性物理解释和机理探讨。
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-11-29

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