留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

罗福 江继军 孙承纬

罗福, 江继军, 孙承纬. 硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(06).
引用本文: 罗福, 江继军, 孙承纬. 硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(06).
luo fu, jiang ji jun, sun cheng wei. Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: luo fu, jiang ji jun, sun cheng wei. Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化

Variation in damage thresholds of Si photodiodes with laser pulse duration

  • 摘要: 对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量,对从1s到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明,在1s到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成,而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2,明显偏离普通温度分布预言的趋势。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  3645
  • HTML全文浏览量:  341
  • PDF下载量:  1130
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-06-15

目录

    /

    返回文章
    返回