Citation: | Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276 |
主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响;分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响,测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明:调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50 MPa。同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2,同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55 J/cm2。