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一种太赫兹脉冲探测芯片性能分析

王雪锋 王建国 王光强 李爽 熊正锋 陆希成 彭建昌

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一种太赫兹脉冲探测芯片性能分析

    通讯作者: 王雪锋, wangxuefeng@nint.ac.cn

Performance analysis of a sensing element for high power terahertz pulse measurement

    Corresponding author: Wang Xuefeng, wangxuefeng@nint.ac.cn
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-10
  • 录用日期:  2014-04-11
  • 刊出日期:  2014-06-26

一种太赫兹脉冲探测芯片性能分析

    通讯作者: 王雪锋, wangxuefeng@nint.ac.cn
  • 1. 西北核技术研究所, 西安 71 0024;
  • 2. 高功率微波技术重点实验室, 西安 71 0024;
  • 3. 西安交通大学 电子与信息工程学院, 西安 71 0049

摘要: 针对一种已经完成模拟设计、工艺研究及成品开发,且线度仅为百m量级的太赫兹脉冲热载流子探测芯片展开了几何参数及电参数测试,并对其性能进行了分析探讨。结果表明:探测芯片具有较小的几何加工偏差和良好的欧姆接触效果;模拟计算的结果表明这种量级几何加工偏差对相对灵敏度影响可以忽略;综合分析各种测试测量结果,进一步验证了芯片开发工艺和测试结果的有效性。

English Abstract

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