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新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术

梁勤金 邓晓磊 石小燕 潘文武

梁勤金, 邓晓磊, 石小燕, 等. 新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 497-500. doi: 10.3788/HPLPB20122402.0497
引用本文: 梁勤金, 邓晓磊, 石小燕, 等. 新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 497-500. doi: 10.3788/HPLPB20122402.0497
Liang Qinjin, Deng XiaoLei, Shi Xiaoyan, et al. High voltage electromagnetic pulse generation using semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 497-500. doi: 10.3788/HPLPB20122402.0497
Citation: Liang Qinjin, Deng XiaoLei, Shi Xiaoyan, et al. High voltage electromagnetic pulse generation using semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 497-500. doi: 10.3788/HPLPB20122402.0497

新型半导体开关高压电磁脉冲产生技术

doi: 10.3788/HPLPB20122402.0497
详细信息
    通讯作者:

    石小燕

High voltage electromagnetic pulse generation using semiconductor switches

  • 摘要: 基于独特结构和物理特性的两类高性能新型高压半导体开关漂移阶跃恢复二极管和快速离化开关,提出一种新型高功率高压纳秒电磁脉冲产生方法,其技术路径是通过高压漂移阶跃恢复二极管开关将高贮能电感能量向高压快速离化开关及负载转移,产生高功率、高重复频率纳秒电磁脉冲,并用实验验证该方法在高重复频率(120,200,300 kHz)下产生高功率、高重复频率纳秒脉冲的有效性,输出脉冲电压分别为1.62,1.41,1.36 kV。
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-10-10
  • 修回日期:  2011-11-08
  • 刊出日期:  2012-02-15

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