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SiO2/HfO2高反射膜的研制

程鑫彬 沈正祥 焦宏飞 马彬 张锦龙 丁涛 王占山

程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276
引用本文: 程鑫彬, 沈正祥, 焦宏飞, 等. SiO2/HfO2高反射膜的研制[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276
Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. Preparation of SiO2/HfO2 high reflectors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276
Citation: Cheng Xinbin, Shen Zhengxiang, Jiao Hongfei, et al. Preparation of SiO2/HfO2 high reflectors[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 1276-1280. doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276

SiO2/HfO2高反射膜的研制

doi: 10.3788/HPLPB20122406.1276
基金项目: 

国家级.国家自然科学基金

详细信息
    通讯作者:

    王占山

Preparation of SiO2/HfO2 high reflectors

  • 摘要: 主要讨论了电子束蒸发SiO2/HfO2薄膜的面形控制和损伤性能。研究了电子束蒸发工艺参数对薄膜应力以及面形的影响;分析了制备工艺对薄膜吸收、节瘤缺陷密度的影响,测量了制备薄膜的损伤阈值。研究结果表明:调整SiO2蒸发时的氧分压可以有效地将薄膜的应力控制在-250~-50 MPa。同时采用金属Hf蒸发可以显著地将节瘤缺陷密度从12.6 mm-2降低至2.7 mm-2,同时将损伤阈值从30 J/cm2提高至55 J/cm2。
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-24
  • 修回日期:  2011-12-16
  • 刊出日期:  2012-06-15

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