留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

万文坚 尹嵘 韩英军 王丰 郭旭光 曹俊诚

万文坚, 尹嵘, 韩英军, 等. 低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1523-1526. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1523
引用本文: 万文坚, 尹嵘, 韩英军, 等. 低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1523-1526. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1523
Wan Wenjian, Yin Rong, Han Yingjun, et al. Molecular beam epitaxy growth and characterization of low-temperature InGaAs/InAlAs multiple quantum wells[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1523-1526. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1523
Citation: Wan Wenjian, Yin Rong, Han Yingjun, et al. Molecular beam epitaxy growth and characterization of low-temperature InGaAs/InAlAs multiple quantum wells[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1523-1526. doi: 10.3788/HPLPB20132506.1523

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

doi: 10.3788/HPLPB20132506.1523
详细信息
    通讯作者: 万文坚

Molecular beam epitaxy growth and characterization of low-temperature InGaAs/InAlAs multiple quantum wells

计量
  • 文章访问数:  562
  • HTML全文浏览量:  93
  • PDF下载量:  255
出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-12
  • 修回日期:  2012-12-03
  • 刊出日期:  2013-04-08

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

    通讯作者: 万文坚, wjwan@mail.sim.ac.cn
  • 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,太赫兹固态技术重点实验室,上海 200050

摘要: 采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632106 /Sq,载流子数密度降低至1.0581014 cm-3。X射线衍射结果表明:InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。收稿日期:; 修订日期:

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回