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半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究

邹睿 林理彬 张猛 张国庆 李永贵

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半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究

Study on GaAs/AlGaAs multiple quantum wells irradiated by free electron laser and OTCS measurement

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出版历程
  • 刊出日期:  2003-01-15

半导体量子阱材料的自由电子激光辐照效应及OTCS测试研究

  • 1. 四川大学 物理系,四川 成都 61 0064;
  • 2. 中国科学院 高能物理研究所, 北京 1 00080

摘要: 利用低温光荧光谱(PL)和光瞬态电流谱(OTCS)研究了自由电子激光辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料的光学性质以及缺陷能级的影响。用波长为8.92μm,光功率密度相应于电场强度为20kV/cm的自由电子激光辐照多量子阱60min,分析PL谱发现量子阱特征峰(797nm)经过辐照后峰值发生红移至812nm,波形展宽,峰高降低。分析OTCS谱发现自由电子激光辐照引入了新的缺陷能级,量子阱结构发生变化, 对此结果进行了讨论,并与电子辐照的情况做了比较。

English Abstract

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