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天光一号预放大器电子束产生和传输

马维义 胡凤明 马景龙 王孝君 单玉生 王乃彦

马维义, 胡凤明, 马景龙, 等. 天光一号预放大器电子束产生和传输[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12.
引用本文: 马维义, 胡凤明, 马景龙, 等. 天光一号预放大器电子束产生和传输[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12.

天光一号预放大器电子束产生和传输

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出版历程
  • 刊出日期:  2000-02-15

天光一号预放大器电子束产生和传输

摘要: 论述了天光一号电子束泵浦KrF准分子激光预放大器电子束产生和传输系统的研制。针对低电压(400kV)和高电流密度(143Acm-2),重点考虑了二极管真空绝缘界面、电极结构、漂移区长度和主膜支撑等问题并介绍了实验结果:二极管电压在450 kV以上仍能稳定工作,电流上升前沿约20ns,电子束总束能4.2kJ以上。只要开关导通时间选在PFL电压峰值附近,Marx 建立时间抖动小于20 ns,对总束能的影响将小于5%。

English Abstract

马维义, 胡凤明, 马景龙, 等. 天光一号预放大器电子束产生和传输[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12.
引用本文: 马维义, 胡凤明, 马景龙, 等. 天光一号预放大器电子束产生和传输[J]. 强激光与粒子束, 2000, 12.

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