电子束入射改善托卡马克等离子体约束

汪茂泉; 毛剑珊; 潘垣

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电子束入射改善托卡马克等离子体约束

汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣

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汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.

引用本文:

汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.

电子束入射改善托卡马克等离子体约束

1.
中国科学院等离子体物理所, 合肥市1 1 26信箱, 230031

摘要: 分析了电子束入射托卡马克等离子体表面后所发生的一系列物理过程,特别是电子束注入等离子体后在边界层形成平行电流和径向负电场,使等离子体由低约束模式向高约束模式,即LH模式转换中的作用。论证了当注入电子束的密度超过一定的阀值时,LH 模转换被触发。
- 电子束 /
- 托卡马克 /
- L-H转换 /
- 改善约束
Abstract: A lot of physical processes, after the electron beam was injected into the plasma edge, are analyzed in details. In particular, we analyzed the formations of the parallel current layer and the radial negative electrical field which makes the plasma confinement transition from the low mode to the high mode,i.e,LH thransition.It was confirmed that the density of the injected electron beam exceed the fixed value, the threshold value for LH thransition,the LH transition was triggered.
- electron beam /
- tokamak /
- lh transition /
- improve confinement

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