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电子束入射改善托卡马克等离子体约束

汪茂泉 毛剑珊 潘垣

汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.
引用本文: 汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.

电子束入射改善托卡马克等离子体约束

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出版历程
  • 刊出日期:  1998-08-15

电子束入射改善托卡马克等离子体约束

摘要: 分析了电子束入射托卡马克等离子体表面后所发生的一系列物理过程,特别是电子束注入等离子体后在边界层形成平行电流和径向负电场,使等离子体由低约束模式向高约束模式,即LH模式转换中的作用。论证了当注入电子束的密度超过一定的阀值时,LH 模转换被触发。

English Abstract

汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.
引用本文: 汪茂泉, 毛剑珊, 潘垣. 电子束入射改善托卡马克等离子体约束[J]. 强激光与粒子束, 1998, 10.

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