一种新型高功率微波探测器

刘小龙; 刘国治; 秋实; 李真富

摘要: 叙述了基于P型硅半导体中的热载流子效应研制成功的一种单脉冲高功率微波探测器。这种高功率微波探测器具有承受微波功率高(比普通检波器高近六个量级)、时间响应快(响应时间小于2.0ns)等特点。探测器由P型硅传感单元和标准波导组成,其工作频率范围为波导的工作频率范围,根据不同需求可以在3.0GHz至30GHz的频率范围内制作成多种不同型号的探测器。也给出了工作在X波段的这种探测器的标定方法和标定结果,标定结果表明探测器的输出信号幅度正比于注入微波功率,输出电压值可达10V。该探测器很适合于高功率微波峰值功率测量,尤其在电磁干扰环境中具有优势,为解决目前高功率微波功率测量不准的技术难题提供了一种有效的技术手段。

Abstract: Ａ　ｎｏｖｅｌ　ｈｉｇｈ　ｐｏｗｅｒ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｗａｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ　ｉｎ　ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ，ｗｈｉｃｈｗａｓ　ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｈｏｔ　ｃａｒｒｉｅｒｓｅｆｆｅｃｔｉｎ　Ｐｔｙｐｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｆｏｒｍｅａｓｕｒｉｎｇ　ｔｈｅｐｏｗｅｒ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｐｏｗｅｒｍｉｃｒｏｗａｖｅ（ＨＰＭ）．Ｔｈｅｄｅｔｅｃｔｏｒ　ｃｏｎｓｉｓｔｓ　ｏｆＰｔｙｐｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ａｓｓｅｎｓｏｒ　ｕｎｉｔ　ａｎｄ　ｓｔａｎｄａｒｄｗａｖｅ　ｇｕｉｄｅ　ａｎｄ　ｉｓｃｈａｃｔｅｒｉｚｅｄ　ｂｙ　ｉｔｓ> ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆｕｎｄｅｒｔａｋｉｎｇ　ｍｕｃｈ　ｈｉｇｈｅｒｐｏｗｅｒ　ｏｆ　 mｉｃｒｏｗａｖｅ（ａｂｏｕｔ　６　ｏｒｄｅｒｓ　ｈｉｇｈｅｒｔｈａｎ　ｏｒｄｉｎａｒｙｃｒｙｓｔａｌ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ），ｆ