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4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖

张林, 张义门, 张玉明, 等. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(05).
引用本文: 张林, 张义门, 张玉明, 等. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(05).
zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, et al. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, et al. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector

  • 摘要: 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。
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  • 刊出日期:  2008-05-15

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