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氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

张丽莎 许鸿

张丽莎, 许鸿. 氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(06).
引用本文: 张丽莎, 许鸿. 氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20(06).
zhang li-sha, xu hong. Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: zhang li-sha, xu hong. Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响及有限元分析

Influence of oxygen partial pressure on HfO2 residual stresses and its finite element analysis

  • 摘要: 利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构。利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考。
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  • 刊出日期:  2008-06-15

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