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离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

申林 田俊林 刘志国 熊胜明

申林, 田俊林, 刘志国, 等. 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(01).
引用本文: 申林, 田俊林, 刘志国, 等. 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(01).
shen lin, tian junlin, liu zhiguo, et al. Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: shen lin, tian junlin, liu zhiguo, et al. Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO2薄膜性能的影响

Influence of bias voltage of APS ion source on performance of hafnium films deposited with ion-assisted technology

  • 摘要: 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜。分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对HfO2薄膜的光谱性能、表面及纵向化学成分、晶相结构以及表面粗糙度进行了分析。结果表明:当APS源偏转电压在120~140 V及50~90 V两个范围内变化时,HfO2薄膜的紫外短波光学损耗随着偏转电压的降低而减小,而为110~90 V时紫外短波光学损耗对偏转电压的变化不敏感;偏转电压在50~140 V的范围内时,制备的HfO2薄膜表面及纵向化学成分无明显变化;当偏转电压为100 V时,HfO2薄膜晶粒尺寸及表面粗糙度分别达到最大值26.2 nm及5.79 nm,其后,随着偏转电压的降低,二者均逐渐减小。
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  • 刊出日期:  2009-01-15

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