基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

刘鑫; 刘进元; 杨方; 张凤霞

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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

刘鑫, 刘进元, 杨方, 张凤霞

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刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.

引用本文:

刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.

liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

Citation:

liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

1.
深圳大学光电子学研究所, 广东深圳 51 8060

High-voltage pulse generation with MOSFET

1.
Institute of Optoelectronics,Shenzhen University,Shenzhen 518060,China

摘要: 以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5 Ω时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。
- MOSFET /
- 高压脉冲 /
- 感应叠加 /
- 脉冲变压器
Abstract: Based on high-speed MOSFET switches, the dual ultrafast high voltage pulses are generated with the inductive adder circuit topology. The pulses’ half-width is 300 ns, the rise time is about 60 ns and the time interval between two pulses is 600 ns. The peak pulse current could be 365 A for a load of 11.5 Ω and the corresponding output peak pulse power is 1.5 MW.
- mosfet /
- high-voltage pulse /
- inductive adder /
- transformer

[1]	史晓蕾, 陈锦晖, 王冠文, 王磊, 曾涛, 杨威, 王旭, 苏文同, 吴官健. 一种基于磁饱和变压器的DSRD脉冲电源设计 . 强激光与粒子束, 2020, 32(2): 025020-1-025020-5. doi: 10.11884/HPLPB202032.190387
[2]	石小燕, 任先文, 刘平, 杨周炳. 基于MOSFET的高重复频率高压脉冲源设计 . 强激光与粒子束, 2019, 31(04): 040022-. doi: 10.11884/HPLPB201931.180321
[3]	石小燕, 丁恩燕, 梁勤金, 杨周炳, 张运检. 20 kV/20 kHz/100 A高压脉冲源设计 . 强激光与粒子束, 2018, 30(04): 045002-. doi: 10.11884/HPLPB201830.170360
[4]	蔡政平, 李伟松. 太赫兹器件测试用高重复频率高压脉冲电源 . 强激光与粒子束, 2018, 30(02): 023101-. doi: 10.11884/HPLPB201830.170274
[5]	罗震, 王军. 毫米波频段下MOSFET漏极电流噪声的统一模型 . 强激光与粒子束, 2017, 29(08): 084103-. doi: 10.11884/HPLPB201729.170054
[6]	李巨, 马军, 冯莉. 基于脉冲变压器和脉冲形成网络的高压脉冲源 . 强激光与粒子束, 2016, 28(11): 115002-. doi: 10.11884/HPLPB201628.160090
[7]	于成大, 邓启斌, 连志平, 王永峰, 殷树鹏. 基于氢闸流管感应叠加技术的电磁脉冲源实验 . 强激光与粒子束, 2014, 26(06): 063201-. doi: 10.11884/HPLPB201426.063201
[8]	李玺钦, 丁明军, 吴红光, 冯莉, 刘云涛, 戴文峰, 黄雷. 基于TTL数字电路控制的高压脉冲源 . 强激光与粒子束, 2012, 24(03): 678-680. doi: 10.3788/HPLPB20122403.0678
[9]	于成大, 徐笑娟, 罗进, 何山红, 冯德仁. 基于感应叠加技术的重复频率电磁脉冲模拟器 . 强激光与粒子束, 2012, 24(01): 162-166.
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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

1. 深圳大学光电子学研究所, 广东深圳 51 8060

刊出日期: 2008-12-15

关键词:

MOSFET /

高压脉冲 /

感应叠加 /

脉冲变压器

摘要: 以高速MOSFET器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5 Ω时，可以产生365 A的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。