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基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

刘鑫 刘进元 杨方 张凤霞

刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
引用本文: 刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

High-voltage pulse generation with MOSFET

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出版历程
  • 刊出日期:  2008-12-15

基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

摘要: 以高速MOSFET器件为基础,对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式,得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲;在负载电阻为11.5 Ω时,可以产生365 A的脉冲峰值电流,并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率。

English Abstract

刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
引用本文: 刘鑫, 刘进元, 杨方, 等. 基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: liu xin, liu jin-yuan, yang fang, et al. High-voltage pulse generation with MOSFET[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

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