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半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟

李中杰 李永东 王洪广 林舒 刘纯亮

李中杰, 李永东, 王洪广, 等. 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22.
引用本文: 李中杰, 李永东, 王洪广, 等. 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22.
li zhongjie, li yongdong, wang hongguang, et al. Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: li zhongjie, li yongdong, wang hongguang, et al. Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟

Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model

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出版历程
  • 刊出日期:  2010-06-03

半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟

摘要: 为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。

English Abstract

李中杰, 李永东, 王洪广, 等. 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22.
引用本文: 李中杰, 李永东, 王洪广, 等. 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2010, 22.
li zhongjie, li yongdong, wang hongguang, et al. Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.
Citation: li zhongjie, li yongdong, wang hongguang, et al. Numerical simulation of semiconductor opening switch with circuit-fluid coupled model[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2010, 22.

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