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基于MOSFET的固体开关技术实验研究

赵军平 章林文 李劲

赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16.
引用本文: 赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16.
zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

Experiment on MOSFET solid state switch

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出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-15

基于MOSFET的固体开关技术实验研究

摘要: 采用两只1kV MOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出。两器件串联开关获得了16kV,2MHz重复频率脉冲串输出。

English Abstract

赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16.
引用本文: 赵军平, 章林文, 李劲. 基于MOSFET的固体开关技术实验研究[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16.
zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.
Citation: zhao jun-ping, zhang lin-wen, li jin. Experiment on MOSFET solid state switch[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2004, 16.

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