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超高速脉冲晶闸管设计及特性

朱玉德 刘小俐 肖彦 张桥 吴拥军 颜家圣

朱玉德, 刘小俐, 肖彦, 张桥, 吴拥军, 颜家圣. 超高速脉冲晶闸管设计及特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045005. doi: 10.11884/HPLPB201426.045005
引用本文: 朱玉德, 刘小俐, 肖彦, 张桥, 吴拥军, 颜家圣. 超高速脉冲晶闸管设计及特性[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26: 045005. doi: 10.11884/HPLPB201426.045005
Zhu Yude, Liu Xiaoli, Xiao Yan, Zhang Qiao, Wu Yongjun, Yan Jiasheng. Design and characteristics of super-fast pulse thyristor[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045005. doi: 10.11884/HPLPB201426.045005
Citation: Zhu Yude, Liu Xiaoli, Xiao Yan, Zhang Qiao, Wu Yongjun, Yan Jiasheng. Design and characteristics of super-fast pulse thyristor[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26: 045005. doi: 10.11884/HPLPB201426.045005

超高速脉冲晶闸管设计及特性

doi: 10.11884/HPLPB201426.045005
详细信息
    通讯作者: 刘小俐

Design and characteristics of super-fast pulse thyristor

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-24
  • 修回日期:  2013-12-03
  • 刊出日期:  2014-03-28

超高速脉冲晶闸管设计及特性

    通讯作者: 刘小俐, xiaolliu@techsem.com.cn
  • 1. 湖北台基半导体股份有限公司, 湖北 襄阳 441 021

摘要: 介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000 V,电流上升率可以达到20 kA/s 以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。

English Abstract

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