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不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响

赵妍 马毅超 吴卫东

赵妍, 马毅超, 吴卫东. 不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 013101. doi: 10.11884/HPLPB201527.013101
引用本文: 赵妍, 马毅超, 吴卫东. 不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 013101. doi: 10.11884/HPLPB201527.013101
Zhao Yan, Ma Yichao, Wu Weidong. Effect of different packaging techniques on high-frequency performance of Schottky diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 013101. doi: 10.11884/HPLPB201527.013101
Citation: Zhao Yan, Ma Yichao, Wu Weidong. Effect of different packaging techniques on high-frequency performance of Schottky diodes[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 013101. doi: 10.11884/HPLPB201527.013101

不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响

doi: 10.11884/HPLPB201527.013101
详细信息
    通讯作者: 马毅超

Effect of different packaging techniques on high-frequency performance of Schottky diodes

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-05-12
  • 修回日期:  2014-10-08
  • 刊出日期:  2015-01-20

不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响

    通讯作者: 马毅超, mayichao@sust.edu.cn
  • 1. 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621 900;
  • 2. 中国工程物理研究院 太赫兹研究中心, 四川 绵阳 621 900;
  • 3. 陕西科技大学 光电系, 西安 71 0021

摘要: 肖特基二极管是太赫兹接收机的关键器件,通过在高频下对不同封装形式的肖特基二极管进行建模仿真,研究不同封装方式对肖特基二极管性能的影响。首先通过建立肖特基二极管的仿真模型,在高频结构仿真软件HFSS中对肖特基二极管在0~120 GHz频段进行仿真,得到该肖特基二极管的S参数,并对S参数仿真结果和实测结果进行对比,证明了该二极管模型的准确性。然后分别建立肖特基二极管的普通封装模型和肖特基二极管的倒装芯片(flip-chip)封装模型,并对这两种封装模型进行仿真,得到其在两种不同封装结构下的S参数,进而对两种不同封装方式的S参数的-3 dB带宽以及相位一致性进行对比分析。最终,对应用于太赫兹波段的肖特基二极管由于封装不同而带来的带宽以及相位的区别及其成因进行分析,论证了flip-chip封装更适合应用于太赫兹波段的肖特基二极管,与普通封装相比,该封装在高频下对肖特基二极管的电性能有比较大的改进。

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