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纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究

范瑛 郑思孝 陶萍 谭云

范瑛, 郑思孝, 陶萍, 等. 纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024135. doi: 10.11884/HPLPB201527.024135
引用本文: 范瑛, 郑思孝, 陶萍, 等. 纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 024135. doi: 10.11884/HPLPB201527.024135
Fan Ying, Zheng Sixiao, Tao Ping, et al. Nano-crystal LaNiAl film with helium charged[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024135. doi: 10.11884/HPLPB201527.024135
Citation: Fan Ying, Zheng Sixiao, Tao Ping, et al. Nano-crystal LaNiAl film with helium charged[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 024135. doi: 10.11884/HPLPB201527.024135

纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究

doi: 10.11884/HPLPB201527.024135

Nano-crystal LaNiAl film with helium charged

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-10-09
  • 修回日期:  2014-11-06
  • 刊出日期:  2015-01-27

纳米晶LaNiAl薄膜充氦技术研究

  • 1. 中国工程物理研究院 总体工程研究所, 四川 绵阳 621 900;
  • 2. 四川大学 核科学技术研究所, 成都 61 0064

摘要: 采用离子束辅助磁控溅射方法沉积出了纳米晶LaNiAl膜和纳米晶渗氦LaNiAl膜(膜厚约10 m),通过调节Ar-He气氛的比例可控制纳米晶膜中的含氦量(He/LaNiAl的原子分数5.7%~13.8%),通过该方法引入到LaNiAl金属薄膜中的氦量远高于采用球磨法制备的纳米LaNiAl粉中的含氦量。研究结果表明:渗氦LaNiAl膜中的氦含量(原子分数)可达13.9%,氦在膜的深度方向分布均匀;热解析分析恒温条件下沉积的渗氦膜的起始释放温度为848 K,最高释放温度为1407 K,主释放峰为1080 K,初步确定了氦主要是以团簇的形式存在于在纳米晶膜中。

English Abstract

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