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微通道板二次电子倍增过程的三维数值模拟

王强强 邓克立 邓才波 邓博 袁铮 陈韬 董建军 曹柱荣 刘慎业 江少恩

王强强, 邓克立, 邓才波, 等. 微通道板二次电子倍增过程的三维数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 124005. doi: 10.11884/HPLPB201527.124005
引用本文: 王强强, 邓克立, 邓才波, 等. 微通道板二次电子倍增过程的三维数值模拟[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 124005. doi: 10.11884/HPLPB201527.124005
Wang Qiangqiang, Deng Keli, Deng Caibo, et al. Three-dimensional numeric simulation of multiplication process of secondary electrons in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 124005. doi: 10.11884/HPLPB201527.124005
Citation: Wang Qiangqiang, Deng Keli, Deng Caibo, et al. Three-dimensional numeric simulation of multiplication process of secondary electrons in microchannel plate[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2015, 27: 124005. doi: 10.11884/HPLPB201527.124005

微通道板二次电子倍增过程的三维数值模拟

doi: 10.11884/HPLPB201527.124005
详细信息
    通讯作者:

    曹柱荣

Three-dimensional numeric simulation of multiplication process of secondary electrons in microchannel plate

  • 摘要: 在CST Particle Studio环境下建立了长径比为40的铅玻璃MCP的三维结构,将有限积分法与蒙特卡罗方法相结合,模拟了直流和高斯脉冲偏置下微通道内二次电子倍增过程,得到了通道轴向二次电子云密度的动态分布曲线。结果显示,二次电子云在通道轴向成高斯分布;在直流偏置下电子云在漂移过程中密度逐渐增大,分布逐渐变得集中,当电子云漂移至靠近输出电极位置时密度达到最大;在高斯偏置下,脉宽对电子倍增过程有决定性影响,当脉宽大于二次电子平均渡越时间时,倍增过程与直流偏置相似。
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-06-19
  • 修回日期:  2015-09-19
  • 刊出日期:  2015-11-26

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