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GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应

黄志娟 刘美琴 贡顶 李勇 杨志强

黄志娟, 刘美琴, 贡顶, 等. GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
引用本文: 黄志娟, 刘美琴, 贡顶, 等. GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
Huang Zhijuan, Liu Meiqin, Gong Ding, et al. High power microwave effect of electrostatic discharge type GGMOS protection device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
Citation: Huang Zhijuan, Liu Meiqin, Gong Ding, et al. High power microwave effect of electrostatic discharge type GGMOS protection device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024

GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应

doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
详细信息
    通讯作者:

    黄志娟

High power microwave effect of electrostatic discharge type GGMOS protection device

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-10-28
  • 修回日期:  2015-12-15
  • 刊出日期:  2016-03-15

GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应

doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
    通讯作者: 黄志娟

摘要: 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下GGMOS型的静电放电(ESD)防护器件效应进行了数值模拟研究。对ESD器件在HPM作用下的响应特性及器件内部的物理图像进行了数值模拟。数值模拟的结果表明,外部注入HPM信号的幅值和频率是影响ESD器件的因素,在加载30 ns脉宽的HPM脉冲作用下,器件内部达到的最高温度与信号幅值成正指数关系。在给ESD注入相同幅值的HPM信号时,频率越大,器件达到失效温度所需要的时间越长。

English Abstract

黄志娟, 刘美琴, 贡顶, 等. GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
引用本文: 黄志娟, 刘美琴, 贡顶, 等. GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
Huang Zhijuan, Liu Meiqin, Gong Ding, et al. High power microwave effect of electrostatic discharge type GGMOS protection device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024
Citation: Huang Zhijuan, Liu Meiqin, Gong Ding, et al. High power microwave effect of electrostatic discharge type GGMOS protection device[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28: 033024. doi: 10.11884/HPLPB201628.033024

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