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30 MeV电子束轰击旋转钽靶产生轫致辐射分析

庞健 何小中 杨柳 王科 张绚

庞健, 何小中, 杨柳, 等. 30 MeV电子束轰击旋转钽靶产生轫致辐射分析[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 065101. doi: 10.11884/HPLPB201729.160502
引用本文: 庞健, 何小中, 杨柳, 等. 30 MeV电子束轰击旋转钽靶产生轫致辐射分析[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 065101. doi: 10.11884/HPLPB201729.160502
Pang Jian, He Xiaozhong, Yang Liu, et al. Analysis on bremsstrahlung characteristics of 30 MeV multi-pulse beams bombarding rotating tantalum-based target[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 065101. doi: 10.11884/HPLPB201729.160502
Citation: Pang Jian, He Xiaozhong, Yang Liu, et al. Analysis on bremsstrahlung characteristics of 30 MeV multi-pulse beams bombarding rotating tantalum-based target[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 065101. doi: 10.11884/HPLPB201729.160502

30 MeV电子束轰击旋转钽靶产生轫致辐射分析

doi: 10.11884/HPLPB201729.160502
详细信息
    通讯作者:

    张绚

Analysis on bremsstrahlung characteristics of 30 MeV multi-pulse beams bombarding rotating tantalum-based target

  • 摘要: 提出了一种基于射频直线加速器的多脉冲X光照相系统,有望用于材料动态性能诊断等流体物理动力学研究。基于射频加速器的特点,该套照相系统能够产生时间跨度10 s以上、数个脉冲间隔可调、脉宽为几十至一百ns的脉冲电子束,产生电子束束斑半高宽尺寸小于1 mm。通过蒙特卡罗模拟程序Geant4,分析计算了特定的几何布局以及不同厚度及电子束束斑条件下,电子束打靶后在靶中的能量沉积,靶中的电子束散射对X光焦斑的影响,以及1 m处的照射量,探讨了这套X光照相系统的应用可行性。结果表明,在30 MeV,400 nC电子束轰击厚度为1 mm的靶条件下,1 m处照射量约为9.1 R,靶厚在1~2 mm范围内并未引起X光焦斑的明显增大。较小横向尺寸的电子束会引起靶体局部升温严重,将会制约脉冲数量;采用旋转靶能够提升脉冲数量,通过分析二维旋转靶的应力,分析了靶材升温以及钽/钽合金屈服强度对脉冲间隔的限制作用。
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-10-26
  • 修回日期:  2017-01-22
  • 刊出日期:  2017-06-15

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