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半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计

饶俊峰 丁家林 李孜 姜松

饶俊峰, 丁家林, 李孜, 等. 半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
引用本文: 饶俊峰, 丁家林, 李孜, 等. 半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
Rao Junfeng, Ding Jialin, Li Zi, et al. Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
Citation: Rao Junfeng, Ding Jialin, Li Zi, et al. Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29: 105005. doi: 10.11884/HPLPB201729.170069

半浮栅晶体管Marx方波脉冲电源设计

doi: 10.11884/HPLPB201729.170069
详细信息
    通讯作者:

    丁家林

Design of semi-floating-gate transistor square wave pulsating Marx power source

  • 摘要: 为得到工业需要的大电流高重频方波脉冲,分析并改进了半导体全控型Marx发生器,在充电的同时实现了截尾功能。设计采用新型半浮栅结构晶体管 (SFGT)作为主开关,可产生kV高压、百A大电流、高重频的方波脉冲。优化了电路结构,解决直流充电源受脉冲电源放电电压冲击问题。研制得到电流100 A、频率4 kHz、脉宽4 s、负高压6 kV、上升沿下降沿均在80 ns内的方波脉冲发生器。研究了相应的SFGT磁芯隔离驱动电路,结合了SFGT栅极并联自主电容隔离驱动和IR2110的半桥驱动电路,并对半桥上的MOS管的栅极等效电路进行了理论分析,驱动电路具有抗干扰能力强且脉宽调节范围大的特点。
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-03-06
  • 修回日期:  2017-05-16
  • 刊出日期:  2017-10-15

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