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高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案

肖家浩 曹树春 张子民 李中平 申晓康 赵全堂 程锐 刘铭 赵永涛 袁平

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高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案

    作者简介: 肖家浩(1989-),男,学士,从事高能电子成像技术研究;xiaojiahao@impcas.ac.cn。.
  • 中图分类号: O463.1

Characteristics and improvement scheme of dark-field imaging of high energy electron radiography

  • CLC number: O463.1

  • 摘要: 基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统,对暗场成像的模拟研究发现,通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象。针对该失真现象提出的改进方案,消除了暗场成像结果的失真。通过对40 MeV电子透射7~224 μm的铝样品开展的成像模拟结果表明:40 MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25 μm情况下具有明显的面密度分辨优势,且空间分辨率达到μm量级,非常适用于高能量密度物质诊断。
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出版历程
  • 收稿日期:  2019-01-02
  • 录用日期:  2019-08-11

高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案

    作者简介: 肖家浩(1989-),男,学士,从事高能电子成像技术研究;xiaojiahao@impcas.ac.cn。
  • 1. 中国科学院 近代物理研究所, 兰州 730000;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049
基金项目:  国家自然科学基金项目(11875303,11435015,11505251,Y940010HJ0);科技部国家重点研发计划(2016YFE0104900);中国科学院科研仪器设备研究项目(Y740010YZB,Y740020YHZ)

摘要: 基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统,对暗场成像的模拟研究发现,通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象。针对该失真现象提出的改进方案,消除了暗场成像结果的失真。通过对40 MeV电子透射7~224 μm的铝样品开展的成像模拟结果表明:40 MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25 μm情况下具有明显的面密度分辨优势,且空间分辨率达到μm量级,非常适用于高能量密度物质诊断。

English Abstract

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