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MHz高压脉冲电源设计

姜松 吴彤 李孜 饶俊峰

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MHz高压脉冲电源设计

Design of MHz high voltage pulse power supply

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出版历程
  • 收稿日期:  2019-03-25
  • 录用日期:  2019-07-03
  • 刊出日期:  2019-09-15

MHz高压脉冲电源设计

  • 1. 上海理工大学 机械工程学院, 上海 200093

摘要: 设计了一款基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关的高压高频脉冲发生器,采用多个以光纤信号隔离触发的串联MOSFET作为高压开关,并由FPGA提供控制信号。该发生器由相同的MOSFET管部分组成,并联并按顺序触发,与参考信号同步。所述电路和工作模式克服了MOSFET管发生器的功耗限制,使脉冲重复率显著提高。详细介绍了该MHz高压脉冲发生器的工作原理和制作过程,然后进行了初步试验,验证了该发生器的性能。该电路在1 MHz的高重复率下,输出上升时间为十几ns、脉宽为百ns、电压幅值大于1 kV的平顶脉冲。

English Abstract

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