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晶闸管触发开通特性

郭帆 何小平 王海洋 贾伟

郭帆, 何小平, 王海洋, 贾伟. 晶闸管触发开通特性[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2483-2487. doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483
引用本文: 郭帆, 何小平, 王海洋, 贾伟. 晶闸管触发开通特性[J]. 强激光与粒子束, 2012, 24: 2483-2487. doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483
Guo Fan, He XiaopinG, WanG HaiyanG, Jia Wei. Switching characteristics of triggered thyristor[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2483-2487. doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483
Citation: Guo Fan, He XiaopinG, WanG HaiyanG, Jia Wei. Switching characteristics of triggered thyristor[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2012, 24: 2483-2487. doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483

晶闸管触发开通特性

doi: 10.3788/HPLPB20122410.2483

Switching characteristics of triggered thyristor

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-11-06
  • 修回日期:  2012-04-10
  • 刊出日期:  2012-10-15

晶闸管触发开通特性

  • 1. 西安交通大学 电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 71 0049;
  • 2. 西北核技术研究所, 西安 71 0024

摘要: 从载流子的传输过程和载流子数密度两个方面分析了晶闸管触发开通过程,研究了强触发方式对晶闸管开通特性的影响。利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了晶闸管强触发电路,并通过晶闸管开通特性实验平台研究了触发条件和工作电压两个因素与晶闸管开通时间的关系。实验结果表明:晶闸管开通时间决定于触发方式和工作电压,强触发方式可以缩短延迟时间,高工作电压可以减小导通时间,利用强触发方式和提高工作电压能够有效地改善晶闸管的开通性能。

English Abstract

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