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百纳秒脉冲下强流二极管的工作稳定性

来定国 邱爱慈 张永民 黄建军 任书庆 杨莉

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百纳秒脉冲下强流二极管的工作稳定性

    通讯作者: 来定国, ldgcx@163.com

Stability of high current diode under 100-nanosecond-pulse voltage

    Corresponding author: Lai Dingguo, ldgcx@163.com
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-05
  • 录用日期:  2012-05-29
  • 刊出日期:  2012-10-15

百纳秒脉冲下强流二极管的工作稳定性

    通讯作者: 来定国, ldgcx@163.com
  • 1. 西北核技术研究所, 西安 71 0024

摘要: 以闪光二号加速器为研究平台,实验研究了前沿80 ns和34 ns脉冲电压下的二极管工作稳定性,通过对比实验结果和数值模拟结果,分析了脉冲前沿对二极管启动时间、阴极发射均匀性和阻抗重复性的影响,探讨了脉冲前沿对平面阴极二极管工作状态的影响机制。实验结果表明:脉冲前沿、二极管启动时间增加时,二极管的阻抗重复性降低;平面阴极易于在中心位置形成强区域发射,等离子体覆盖整个阴极发射面的时间随脉冲前沿增大而增加;屏蔽效应对阴极发射的影响随前沿增加而变大,进而导致阴极表面不均匀强点发射,等离子体运动速度增加,阴极有效发射面积减小,在等离子体运动速度和阴极有效发射面积共同作用下,二极管工作稳定性下降。

English Abstract

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