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高重复频率脉冲功率技术及其应用:(4)半导体开关的特长与局限性

江伟华

江伟华. 高重复频率脉冲功率技术及其应用:(4)半导体开关的特长与局限性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 537-543. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0537
引用本文: 江伟华. 高重复频率脉冲功率技术及其应用:(4)半导体开关的特长与局限性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 537-543. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0537
Jiang Weihua. Repetition rate pulsed power technology and its applications:(iv) Advantage and limitation of semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 537-543. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0537
Citation: Jiang Weihua. Repetition rate pulsed power technology and its applications:(iv) Advantage and limitation of semiconductor switches[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 537-543. doi: 10.3788/HPLPB20132503.0537

高重复频率脉冲功率技术及其应用:(4)半导体开关的特长与局限性

doi: 10.3788/HPLPB20132503.0537
详细信息
    通讯作者:

    江伟华

Repetition rate pulsed power technology and its applications:(iv) Advantage and limitation of semiconductor switches

  • 摘要: 综合叙述了功率半导体开关在高重复频率脉冲功率技术中的意义和使用方法。并通过与传统脉冲功率开关的比较,归纳了半导体开关的特长和缺陷。在举例说明了半导体开关的控制方法以后,介绍了几种有效提高半导体开关工作能力的电路方法,包括采用多个器件的串联与并联、电压叠加、开关器件的组合与互补等方法。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-11-21
  • 修回日期:  2012-12-25
  • 刊出日期:  2013-03-05

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