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4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

吴健 雷家荣 蒋勇 陈雨 荣茹 范晓强

吴健, 雷家荣, 蒋勇, 等. 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
引用本文: 吴健, 雷家荣, 蒋勇, 等. 4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
Wu Jian, Lei Jiarong, Jiang Yong, et al. Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793
Citation: Wu Jian, Lei Jiarong, Jiang Yong, et al. Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 1793-1797. doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793

4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

doi: 10.3788/HPLPB20132507.1793

Charge collection properties of a 4H-SiC Schottky diode

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-09-28
  • 修回日期:  2012-12-19
  • 刊出日期:  2013-05-02

4H-SiC肖特基二极管的电荷收集特性

  • 1. 中国工程物理研究院 核物理与化学研究所, 四川 绵阳 621 900;
  • 2. 中国工程物理研究院 中子物理重点实验室, 四川 绵阳 621 900

摘要: 针对极端环境下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241Am源粒子的电荷收集效率。从电容-电压曲线得出该二极管外延层净掺杂数密度为1.991015/cm3。从正向电流-电压曲线获得该二极管肖特基势垒高度为1.66 eV,理想因子为1.07,表明该探测器具备良好的热电子发射特性。在反向偏压高达700 V时,该二极管未击穿,其漏电流仅为21 nA,具有较高的击穿电压。在反向偏压为0~350 V范围内研究了该探测器对3.5 MeV 粒子电荷收集效率,在0 V时为48.7%,在150 V时为99.4%,表明该探测器具有良好的电荷收集特性。

English Abstract

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