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真空绝缘堆均压环的结构优化

武庆周 彭宗仁 姜源 汤俊萍

武庆周, 彭宗仁, 姜源, 等. 真空绝缘堆均压环的结构优化[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2161-2166. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2161
引用本文: 武庆周, 彭宗仁, 姜源, 等. 真空绝缘堆均压环的结构优化[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2161-2166. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2161
Wu Qingzhou, Peng Zongren, Jiang Yuan, et al. Structural optimization of vacuum insulator stack grading rings[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2161-2166. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2161
Citation: Wu Qingzhou, Peng Zongren, Jiang Yuan, et al. Structural optimization of vacuum insulator stack grading rings[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2161-2166. doi: 10.3788/HPLPB20132508.2161

真空绝缘堆均压环的结构优化

doi: 10.3788/HPLPB20132508.2161
详细信息
    通讯作者:

    彭宗仁

Structural optimization of vacuum insulator stack grading rings

  • 摘要: 采用数值模拟法和有限元网格细化法对比给出电场的合理参考范围,分别选取距离阴极三结合点(0.005)(21/2d)处(d是绝缘体的厚度)和距离阳极三结合点(0.008 5)(21/2d)处的电场强度为参考点。通过优化均压环形状,采用阴极激发闪络和阳极激发闪络两种模型来控制三结合点处的场强,优化得出阴极三结合点处场强值为2.55 kV/mm,阳极三结合点处场强值为23 kV/mm。
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-29
  • 修回日期:  2013-03-21
  • 刊出日期:  2013-06-19

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