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太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

曹小龙 姚建铨 袁偲 赵晓蕾 钟凯

曹小龙, 姚建铨, 袁偲, 赵晓蕾, 钟凯. 太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
引用本文: 曹小龙, 姚建铨, 袁偲, 赵晓蕾, 钟凯. 太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换[J]. 强激光与粒子束, 2013, 25: 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
Cao Xiaolong, Yao Jianquan, Yuan Cai, Zhao Xiaolei, Zhong Kai. Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
Citation: Cao Xiaolong, Yao Jianquan, Yuan Cai, Zhao Xiaolei, Zhong Kai. Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2013, 25: 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324

太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
详细信息
    通讯作者: 曹小龙

Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-11
  • 修回日期:  2013-04-18
  • 刊出日期:  2013-07-17

太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

    通讯作者: 曹小龙, caoxiaolong63@126.com
  • 1. 天津大学 精密仪器与光电子工程学院 激光与光电子研究所, 天津 300072;
  • 2. 光电信息技术科学教育部重点实验室天津大学, 天津 300072

摘要: 在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究。假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调。将砷化镓材料生长于该谐振环的开口处,通过光注入方式改变砷化镓材料的电导率,可以实现谐振环的双频LC共振和偶极子共振模式与单频闭合环共振模式之间的转换。这种通过光注入改变半导体材料电导率的方法,可以在不破坏原来谐振器件物理结构的前提下,实现谐振环谐振模式的可逆转换。

English Abstract

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