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用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

施卫 赵卫 张显斌

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用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

Investigation of high power sub-nanosecond electrical pulse generated by GaAs photoconductive switches

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出版历程
  • 刊出日期:  2001-12-15

用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

  • 1. 西安理工大学应用物理系,陕西 西安 71 0048;
  • 2. 中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室,陕西 西安 71 0068

摘要: 报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV。分别用ns, ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动。3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns、能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A。用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列。

English Abstract

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