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基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真

陈宇晓 尹显东 唐丹 杨谟华

陈宇晓, 尹显东, 唐丹, 杨谟华. 基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18.
引用本文: 陈宇晓, 尹显东, 唐丹, 杨谟华. 基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18.
chen yu-xiao, yin xian-dong, tang dan, yang mo-hua. Design and simulation of 100 ps transient sampling gate based on high speed Schottky diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.
Citation: chen yu-xiao, yin xian-dong, tang dan, yang mo-hua. Design and simulation of 100 ps transient sampling gate based on high speed Schottky diode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18.

基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真

Design and simulation of 100 ps transient sampling gate based on high speed Schottky diode

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出版历程
  • 刊出日期:  2006-01-15

基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真

  • 1. 中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621 900;
  • 2. 电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 61 0054

摘要: 皮秒级瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中,对单次高速脉冲进行实时取样。提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡取样门,给出其模型和具体电路设计。电路仿真结果表明,对称的选通设计保证了选通脉宽为100 ps时,取样间隔也为100 ps,取样门带宽为4.4 GHz,可应用于多路超短激光脉冲取样。

English Abstract

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