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4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

张林 张义门 张玉明 张书霞 汤晓燕 王悦湖

张林, 张义门, 张玉明, 张书霞, 汤晓燕, 王悦湖. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
引用本文: 张林, 张义门, 张玉明, 张书霞, 汤晓燕, 王悦湖. 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析[J]. 强激光与粒子束, 2008, 20.
zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, zhang shu-xia, tang xiao-yan, wang yue-hu. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.
Citation: zhang lin, zhang yi-men, zhang yu-ming, zhang shu-xia, tang xiao-yan, wang yue-hu. Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2008, 20.

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

Model and analysis of 4H-SiC Schottky diode as γ-ray detector

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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-15

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

  • 1. 西安电子科技大学 微电子学院 教育部宽禁带半导体材料重点实验室, 西安 71 0071 ;
  • 2. 西安武警工程学院 通信系, 西安 71 0086

摘要: 在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为g射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度。模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy。计算结果与实验数据符合得较好。

English Abstract

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