留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器

丁臻捷 浩庆松 苏建仓 孙旭

丁臻捷, 浩庆松, 苏建仓, 等. 基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(10).
引用本文: 丁臻捷, 浩庆松, 苏建仓, 等. 基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器[J]. 强激光与粒子束, 2009, 21(10).
ding zhenjie, hao qingsong, su jiancang, et al. 8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.
Citation: ding zhenjie, hao qingsong, su jiancang, et al. 8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2009, 21.

基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器

8 MW, 10 kHz semiconductor opening switch pulsed generator

  • 摘要: 功率器件半导体断路开关具有高重复频率工作能力。采用高速绝缘栅双极晶体管组件作为初级充电回路的主开关,建立了一台工作频率为10 kHz的脉冲发生器。脉冲发生器采用磁饱和脉冲变压器、磁开关及高压脉冲电容器组等固态器件进行两级脉冲压缩,产生小于100 ns的电流脉冲,对半导体断路开关进行泵浦,半导体断路开关反向截断泵浦电流在负载上产生高压脉冲输出。实验装置在电阻负载上得到了脉冲输出功率约为8.6 MW,脉冲宽度约10 ns,重复频率10 kHz的高压脉冲输出。
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2531
  • HTML全文浏览量:  330
  • PDF下载量:  665
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-15

目录

    /

    返回文章
    返回